--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(3X3)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
AON7752-VB 是一款采用 DFN8 (3X3) 封装的单 N 沟道 MOSFET 器件。它具有30V的漏源电压 (VDS) 和±20V的栅源电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为 1.7V。AON7752-VB 在低导通电阻方面表现出色,其导通电阻为 6mΩ @ VGS=4.5V 和 5mΩ @ VGS=10V。最大连续漏极电流 (ID) 为 40A,采用了先进的沟槽型技术。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: DFN8 (3X3)
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 40A
- **技术**: 沟槽型 (Trench)

### 三、适用领域和模块举例
AON7752-VB MOSFET 由于其低导通电阻和高电流承受能力,适用于多种领域和模块中,如:
1. **电动工具**:
- 在电动工具的驱动电路中,AON7752-VB 可以用作电机控制开关,提供高效能的电流传输,确保工具的稳定性和长寿命。
2. **电动汽车**:
- 在电动汽车的电池管理系统中,AON7752-VB 可以用于高电流应用,如电池组的充放电控制和驱动电机的功率管理。
3. **电源模块**:
- 在直流-直流转换器和DC-DC电源模块中,AON7752-VB 可以用于功率开关,帮助提高转换效率并减少能量损耗。
4. **工业自动化**:
- 在工业自动化设备中,AON7752-VB 可以用于控制各种执行器和电磁阀,保证设备的高效运行和响应速度。
5. **通讯设备**:
- 在网络路由器、交换机等通讯设备中,AON7752-VB 可以用于电源管理和信号放大模块,提供稳定可靠的电源控制和信号处理能力。
AON7752-VB MOSFET 的优异特性使其成为高性能电子设备和系统中不可或缺的组成部分,能够有效应对高功率和高效能的应用需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12