--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、AOI454-VB产品简介
AOI454-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO251封装,适用于中功率和低电压应用场合。该器件具有40V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)和2.5V的阈值电压(Vth)。在VGS为4.5V和10V时,其导通电阻分别为6.5mΩ和5mΩ,支持最大85A的漏极电流(ID)。采用Trench技术制造,具备优异的导通特性和可靠的性能,适合于要求中等功率处理和低电压操作的应用场合。
### 二、AOI454-VB详细参数说明
- **封装类型**:TO251
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:40V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 6.5mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:85A
- **技术**:Trench

### 三、应用领域和模块示例
AOI454-VB MOSFET适用于多种中功率和低电压应用领域:
1. **电源管理**:
- **DC-DC转换器**:在电源模块和电池管理系统中,用于高效的电能转换和功率管理。
- **低压直流电源**:在消费电子设备和通信设备中,提供稳定的低压电源输出。
2. **电动工具**:
- **电动车辆**:用于电动车辆的电机控制和高功率电源管理,确保高效率和长续航能力。
- **电动工具**:如电钻、电锯等高功率工具的电机驱动和控制。
3. **工业控制**:
- **工业自动化**:在工业机器人和自动化系统中,用于电机控制和精确的运动调节,支持高效的生产线操作和工艺控制。
4. **汽车电子**:
- **汽车电动化**:在电动汽车和混合动力车辆中,用于高效能的电机控制和电池管理系统。
AOI454-VB MOSFET因其中等功率处理能力和低电压操作特性,特别适用于需要高效能和可靠性的多种工业和消费电子应用场合。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12