--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AO4494-VB 产品简介
AO4494-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术设计,封装为SOP8。该型号具有低漏源极电压(VDS)、极低的导通电阻(RDS(ON))和适中的电流处理能力(ID),适合在高效能力和低功耗要求的电子系统中使用。
### AO4494-VB 详细参数说明
- **封装形式**: SOP8
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压(VDS)**: 30V
- **栅源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 18A
- **技术**: 沟槽技术

### AO4494-VB 的应用领域和模块举例
AO4494-VB 可以在多个领域和模块中广泛应用,以下是一些具体的应用示例:
1. **电源管理**: 在高效能的电源管理单元(PMU)和DC-DC转换器中,AO4494-VB 可以作为功率开关元件,用于提供高效的电能转换和稳定的电压输出。
2. **电动工具**: 作为电动工具如电动钻机、电动锯等的电机驱动器,AO4494-VB 可以处理较大的电流,并在低损耗的情况下提供可靠的功率输出。
3. **服务器和数据中心**: 在服务器和数据中心的电源管理系统中,AO4494-VB 可以作为高密度和高效能的电源开关,帮助提升系统的能效和降低冷却成本。
4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,AO4494-VB 可以用作电池管理、电动车辆驱动器等应用中的关键组件,确保高效的电能转换和稳定的电动车辆运行。
综上所述,AO4494-VB 具有低漏源极电压、极低的导通电阻和适中的电流处理能力,适合于各种需要高效能力和低功耗的电子设备和系统设计。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12