--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(3X3)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
AM7338N-T1-PF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装,具有低导通电阻和高电流处理能力。该器件设计用于高效能的电源管理和功率控制应用。
### 二、详细参数说明
- **型号:** AM7338N-T1-PF-VB
- **封装:**DFN8 (3X3)
- **配置:** 单N沟道
- **VDS(漏源电压):** 30V
- **VGS(栅源电压):** ±20V
- **Vth(开启阈值电压):** 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻):**
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.9mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 60A
- **技术:** Trench

### 三、应用领域和模块举例
AM7338N-T1-PF-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电动工具和电机控制:** 由于其高漏源电压和低导通电阻,AM7338N-T1-PF-VB 可以用作电动工具中的电机驱动器件,以及工业设备中的功率开关。这些应用需要能够承受高电流负载和频繁开关操作的器件。
2. **电源管理和DC-DC转换器:** 在高效的电源管理和DC-DC转换器中,AM7338N-T1-PF-VB 可以用于功率开关和电源控制。其低导通电阻和高电流能力有助于减少能量损失并提高系统效率。
3. **汽车电子和电动汽车:** 在汽车电子系统中,特别是在电动汽车的驱动控制和充电桩中,AM7338N-T1-PF-VB 的高电流处理能力和稳定性使其成为理想的选择。它能够在车载电子设备中提供可靠的功率管理和控制。
4. **工业自动化和机器人技术:** 在工业自动化和机器人技术中,AM7338N-T1-PF-VB 可以用于电机驱动和控制系统,确保设备的高效运行和精确控制。
总结来说,AM7338N-T1-PF-VB 是一款适用于需要高功率密度和高效能的各种电子和电力系统的先进MOSFET器件。其优越的电气特性使其能够在多个应用场景中发挥重要作用,提高系统的性能和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12