--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:AM40N20-180P-VB**
AM40N20-180P-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。该器件封装为 TO220,具有高电压耐受能力和优异的导通特性,适合在各种高功率和工业应用中使用。
### 详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|--------------|-------------------|
| **封装** | TO220 |
| **配置** | 单 N 通道 |
| **VDS** | 200V |
| **VGS** | ±20V |
| **Vth** | 3V |
| **RDS(ON)@VGS=10V** | 46mΩ |
| **ID** | 50A |
| **技术** | 沟槽 |

### 适用领域和模块举例
AM40N20-180P-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源转换器和稳压模块**:
由于其高电压耐受能力和低导通电阻,AM40N20-180P-VB 特别适合用于工业电源转换器和稳压模块中。例如,在工业自动化设备、电力电子设备和高压稳定电源中,使用该器件可以实现高效的能量转换和稳定的电压输出。
2. **电动车充放电控制**:
在电动车辆的充电和放电控制系统中,AM40N20-180P-VB 可以提供可靠的电流控制和高效的能量转换。其高电流承载能力和稳定的开关特性使其成为电动车电池管理系统的理想选择。
3. **电焊设备和工业电子**:
在需要高功率开关和稳定电流传输的电焊设备和工业电子设备中,该器件能够确保设备的稳定性和长期可靠性。例如,在工业焊接机器人和大功率电子设备的电源管理系统中,AM40N20-180P-VB 可以提供高效的电能控制和稳定的电流输出。
4. **高频开关电源**:
该器件还适用于高频开关电源的设计,能够在需求频繁开关和高效能转换的应用中表现出色。例如,在通信基站的电源管理和服务器电源单元中,AM40N20-180P-VB 可以提供稳定的电能转换和高效的功率传输。
综上所述,AM40N20-180P-VB 由于其高电压耐受能力、低导通电阻和先进的沟槽技术,适用于多种高功率和工业电子应用中,是工程师们在设计中的重要选择之一。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12