--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6
- 沟道 Dual-N+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AM3560C-VB 产品简介
AM3560C-VB是一款高性能的双N+P-沟道MOSFET,采用SOT23-6封装,适合需要双通道控制的应用。采用先进的沟槽(Trench)技术设计,具备低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种功率管理和负载开关应用。
### 产品参数
- **封装类型**:SOT23-6
- **配置**:双N+P-沟道
- **漏源极击穿电压 (VDS)**:±60V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V (N-Channel), -1.7V (P-Channel)
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 120mΩ @ VGS=4.5V
- 100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:±4A
- **技术**:沟槽(Trench)

### 应用领域和模块
AM3560C-VB MOSFET适用于多种应用场景,以下是几个典型的应用示例:
1. **电源管理**:
- **开关电源**:在电源开关电路中,AM3560C-VB可用作高压侧和低压侧的开关器件,支持高电压和大电流的处理需求。
- **DC-DC变换器**:用于高效率的DC-DC变换器中,通过其低导通电阻和高电流能力,提高电能转换效率。
2. **电动工具**:
- **电动工具驱动**:在电动工具的电机驱动电路中,AM3560C-VB用作电机的开关器件,确保电动工具的稳定性和高效性能。
- **电池管理**:用于电动工具的电池管理系统中,保护电池免受过电流和过压的影响。
3. **工业控制**:
- **工业自动化**:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业自动化设备中,AM3560C-VB用作开关和驱动器件,实现对各种设备的精确控制。
- **电力电子**:在电力电子设备中,如逆变器和充电器,使用AM3560C-VB能够提供稳定的开关功能,优化能量转换效率。
总结来说,AM3560C-VB以其优异的电特性和双通道设计,适用于电源管理、电动工具、工业控制和电力电子等多个领域,为各种高效能量转换和控制应用提供可靠的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12