--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介详述:AM3471P-VB
**型号:** AM3471P-VB
**封装:** SOT23-6
**结构:** 单P沟道
**漏极-源极电压(VDS):** -100V
**栅极-源极电压(VGS):** ±20V
**阈值电压(Vth):** -2V
**导通电阻(RDS(ON)):** 252mΩ @ VGS=4.5V, 200mΩ @ VGS=10V
**漏极电流(ID):** -4.1A
**技术:** Trench(沟槽型)

### 详细参数说明:
1. **电气特性:**
- **静态参数:**
- 漏极-源极电压(VDS):-100V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):-2V
- 漏极-源极导通电阻(RDS(ON)):
- 252mΩ @ VGS=4.5V
- 200mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流(ID):-4.1A
2. **封装和配置:**
- 封装形式:SOT23-6
- 结构类型:单P沟道
3. **技术特性:**
- 采用沟槽型MOSFET技术
### 应用示例:
AM3471P-VB适用于以下领域和模块的示例包括:
- **电源逆变器:** 在电源逆变器中作为开关元件,用于转换电源信号,特别是在需要负责大电压的应用场合。
- **电动车辆:** 可用于电动车辆的电池管理和电动机驱动,因为能够处理高电流和较低的导通电阻。
- **工业控制系统:** 在工业控制系统中用于电流和电压的控制和调节,确保设备的稳定运行。
- **通信设备:** 在通信设备中的功率管理和信号开关中,提供高效能和可靠性。
这些示例展示了AM3471P-VB在需要高电压、高功率和可靠性的各种应用中的潜在用途。
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