--- 产品参数 ---
- 封装 SOT89
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AFN8918-VB MOSFET 产品简介
#### 产品简介
AFN8918-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用SOT89封装,适合在小型电路板上实现高效的功率管理和电流控制。该器件具有30V的漏源极电压额定值,采用先进的Trench技术,以提供低导通电阻和良好的热特性。
#### 产品参数详细说明
- **型号**: AFN8918-VB
- **封装**: SOT89
- **类型**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 30mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 6.8A
- **技术**: Trench

#### 应用领域及模块举例
1. **电源管理**:
由于其低导通电阻和小型封装,AFN8918-VB 适用于各种电源管理模块,如电池充电管理、DC-DC转换器和电源开关。
2. **便携式设备**:
在便携式消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备,AFN8918-VB 可以实现紧凑设计和高效能的电源管理。
3. **LED驱动**:
用于LED照明驱动器的功率开关控制,AFN8918-VB 可以提供稳定的电流输出和高效的能量转换,确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。
4. **电动工具**:
在需要紧凑设计和高电流能力的电动工具中,例如电动螺丝刀、电钻和电动剪刀,AFN8918-VB 可以有效地管理电机驱动和电池功率输出。
5. **工业自动化**:
适用于工业控制设备中的电机控制、传感器接口和各种电源开关模块,AFN8918-VB 提供了可靠的电力转换和精确的电流调节能力。
综上所述,AFN8918-VB 是一款多功能的单N沟道功率MOSFET,适用于电源管理、便携式设备、LED驱动、电动工具和工业自动化等多个领域的高性能电子设备设计。其优异的电气特性和小型封装使其成为紧凑型和高效能电路的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12