--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**AFN7002KASS23RG-VB** 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT23-3 封装。该器件由 VBsemi 公司生产,利用先进的 Trench 技术制造,适合于低功率电子控制和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:0.3A @ VGS = 10V
- **技术**:Trench

### 应用领域和模块
AFN7002KASS23RG-VB MOSFET 可以在以下领域和模块中得到应用:
1. **移动设备**:适用于便携式电子设备中的电源管理和电池保护电路,如智能手机、平板电脑和便携式音频设备。
2. **低功率电子控制**:用作低功率开关和电源管理器件,例如小型电动工具、个人电子设备的电池管理和充电管理电路。
3. **消费类电子产品**:在消费类电子产品中作为电池充电管理、功率开关和保护电路的关键组件,确保设备的高效运行和长寿命。
4. **传感器接口**:在传感器信号调理电路中使用,提供稳定的电源和信号处理,以确保精准的传感器数据采集和处理。
5. **嵌入式系统**:作为嵌入式系统中的电源开关和低功率驱动器,用于控制和保护嵌入式设备的各种功能模块。
综上所述,AFN7002KASS23RG-VB 是一款适用于低功率、便携式和消费类电子产品的高性能单 N 沟道 MOSFET,具备优异的低功耗特性和可靠性,能够满足现代电子设备对功率管理的严格要求。
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