--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AFN4822WSS8RG-VB MOSFET 产品简介
AFN4822WSS8RG-VB 是一款单 N-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为 1.7V。采用 Trench 技术,该 MOSFET 在不同栅源电压下的导通电阻 (RDS(ON)) 分别为:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
最大漏极电流 (ID) 为 13A。这使得它适用于需要高电压和高效电流控制的电子设备和应用。
### AFN4822WSS8RG-VB MOSFET 详细参数说明
- **型号**: AFN4822WSS8RG-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
AFN4822WSS8RG-VB 可用于高效电源管理模块,如电源开关、DC-DC 转换器和稳压器。其低导通电阻和高漏极电流能力确保了电源系统的高效性和稳定性。
2. **电动工具**:
在需要高效能的电动工具中,如电动钻、锤和锯等设备中,该 MOSFET 可用于电机驱动和控制电路,提供快速响应和可靠的电源开关。
3. **电动车辆**:
AFN4822WSS8RG-VB 在电动汽车或电动自行车中的电池管理和电机驱动系统中,能够有效地控制电流和电压,确保车辆的高效运行和能量回收。
4. **工业自动化**:
在工业控制系统中,该 MOSFET 可用于 PLC、马达控制和工业自动化设备中的电源开关和电机控制,提供可靠的电气性能和长期稳定性。
5. **LED 照明**:
对于需要高功率 LED 灯具和照明系统,AFN4822WSS8RG-VB 可以作为 LED 驱动器的关键组件,提供稳定的电流和可靠的调光控制。
通过以上示例可以看出,AFN4822WSS8RG-VB MOSFET 具有广泛的应用领域,特别适合需要高电压和高效电流控制的多种电子设备和应用场景。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12