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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AFC4510WSS8RG-VB一款Dual-N+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AFC4510WSS8RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8
  • 沟道 Dual-N+P

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### AFC4510WSS8RG-VB MOSFET 产品简介

AFC4510WSS8RG-VB 是一款双 N+P-Channel MOSFET,采用 SOP8 封装。它支持最大 ±100V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为 ±2V。采用了 Trench 技术,该 MOSFET 在不同栅源电压下的导通电阻 (RDS(ON)) 分别为:
- N-Channel:
 - 100mΩ @ VGS = 4.5V
 - 80mΩ @ VGS = 10V
- P-Channel:
 - 165mΩ @ VGS = 4.5V
 - 150mΩ @ VGS = 10V

最大漏极电流 (ID) 分别为 4.6A (N-Channel) 和 -3.4A (P-Channel)。这使得它适用于需要高电压和混合信号控制的功率开关和电路应用。

### AFC4510WSS8RG-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**: AFC4510WSS8RG-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双 N+P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: ±100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: ±2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - N-Channel:
   - 100mΩ @ VGS = 4.5V
   - 80mΩ @ VGS = 10V
 - P-Channel:
   - 165mΩ @ VGS = 4.5V
   - 150mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:
 - N-Channel: 4.6A
 - P-Channel: -3.4A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理**:
  AFC4510WSS8RG-VB 可以用作高压电源管理开关,特别适合于工业控制系统和电力电子设备,如高压开关电源和变频器。

2. **电动车辆**:
  在电动车辆的电池管理和驱动系统中,该型号的 MOSFET 可以用于电池组保护、电机驱动和充电控制,确保电动车辆的安全和效率。

3. **电力电子**:
  在电力电子设备中,如逆变器、电力调节器和UPS系统,AFC4510WSS8RG-VB 可以用于高压和高电流的开关和调节控制,保证设备的稳定性和可靠性。

4. **LED 照明**:
  由于其能够处理高电压和高电流的特性,该型号的 MOSFET 可以用于LED 照明系统中的电流控制和开关调光,提高LED 灯的效率和寿命。

通过以上示例可以看出,AFC4510WSS8RG-VB MOSFET 具有广泛的应用领域,特别适合需要高压和混合信号控制的功率开关和电路应用。

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