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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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97E260-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 97E260-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT669
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

97E260-VB 是一款单通道N沟道功率MOSFET,采用SOT669封装,具备60V的漏源电压和高达100A的连续漏极电流能力。该器件采用沟槽技术,具有低导通电阻和优异的开关特性,适用于高功率密度和高效能要求的电源和驱动应用。

### 产品参数说明

- **型号**:97E260-VB
- **封装**:SOT669
- **配置**:单通道N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.4V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 3.48mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.9mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**:100A
- **技术**:Trench(沟槽)

### 应用领域和模块举例

97E260-VB MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. **电源供应**:
  - 用于服务器和数据中心的高效电源单元,确保稳定的电压输出和高功率转换效率。

2. **电动工具**:
  - 作为电池管理和马达控制的关键部件,用于电动工具和家用电器中,提供高效能的电能转换和马达控制功能。

3. **电动车辆**:
  - 在电动汽车和电动自行车的电池管理系统中,用于电池充放电控制和电机驱动,支持高速充电和长续航能力。

4. **工业自动化**:
  - 用作工业控制系统中的开关器件,如电机驱动器、PLC输出模块和高效率的DC-DC转换器。

5. **通信设备**:
  - 在基站和通信设备中,用于功率放大器和射频开关,提供高速、低延迟的信号处理和功率管理。

97E260-VB 结合了高电流承载能力和低导通电阻的特性,适合于需要高功率密度和高效能转换的应用场景,特别是对体积和效率要求较高的电子设备和系统。

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