--- 产品参数 ---
- 封装 TO247
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**产品型号:** 95N25W-VB
**封装形式:** TO247
**配置:** 单N沟道MOSFET
**技术:** Trench技术
95N25W-VB是一款单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术设计,主要用于高压负载开关和功率控制应用,具有较低的导通电阻和能够承载高电流。
### 二、详细参数说明
- **VDS(漏源极电压):** 250V
- **VGS(栅源极电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 40mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏极电流):** 60A

### 三、应用领域及模块举例
95N25W-VB MOSFET适用于多种高压负载开关和功率控制的应用,具体应用包括但不限于:
- **电力电子和电源系统:** 在工业电源、电力逆变器和UPS(不间断电源)系统中,用于高效能量转换和稳定的电压输出。
- **电动车辆(EV)充电桩:** 作为电动车充电桩中的关键开关器件,确保高效的充电过程和稳定的电能转换。
- **工业自动化设备:** 如机器人控制系统、自动化生产线中的电源开关和功率控制,保证设备的高效运行和生产效率。
- **电源管理和分布系统:** 在电力分布和电网管理中,用于电力开关和负载控制,确保系统的安全性和稳定性。
综上所述,95N25W-VB MOSFET以其高电压耐受能力、低导通电阻和高电流承载能力,在多种需要高性能功率开关和电流控制的应用中发挥重要作用。
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