--- 产品参数 ---
- 封装 SOT223
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 9575-VB MOSFET
#### 一、产品简介
9575-VB 是一款单 P 沟道功率 MOSFET,采用 SOT223 封装。该器件具有 -60V 的漏源电压(VDS),最大栅源电压(VGS)为 ±20V,阈值电压(Vth)为 -1.7V。9575-VB 采用了先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 时为 65mΩ,在 VGS=10V 时为 55mΩ。最大连续漏极电流(ID)为 -7A,适用于多种负载开关和功率管理应用。
#### 二、详细参数说明
- **封装类型**:SOT223
- **配置**:单 P 沟道
- **漏源电压(VDS)**:-60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS=4.5V 时:65mΩ
- VGS=10V 时:55mΩ
- **最大连续漏极电流(ID)**:-7A
- **技术类型**:沟槽技术

#### 三、适用领域和模块举例
9575-VB MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
- **电源管理**:适用于负载开关和电源控制,如便携式电子设备、电池管理系统和开关电源中。
- **逆变器电路**:用于将直流电转换为交流电的逆变器电路,如太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统。
- **工业自动化**:在工业控制系统中,用于电机控制和功率调节,如工业驱动器和控制器。
- **消费电子产品**:适用于家庭电器和音视频设备中的电源管理和控制电路,如电视、音响系统和智能家居设备。
以上示例展示了 9575-VB MOSFET 在各种需要负载开关和功率管理的电子设备和系统中的重要应用。其低导通电阻和高电流能力使其成为这些应用的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12