--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**产品型号:** 9487M-VB
**封装形式:** SOP8
**配置:** 单N沟道MOSFET
**技术:** Trench技术
9487M-VB是一款高性能N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术设计,主要用于高压应用,具有低导通电阻和适中的电流承载能力。
### 二、详细参数说明
- **VDS(漏源极电压):** 100V
- **VGS(栅源极电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 1.8V
- **RDS(ON)(导通电阻):**
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏极电流):** 9A

### 三、应用领域及模块举例
9487M-VB MOSFET适用于多种高压和中功率的电子设备和系统中,具体应用包括但不限于:
- **电源转换器和开关电源:** 在需要高压转换和开关控制的DC-DC转换器和电源模块中,9487M-VB能够提供高效的电能转换和稳定的电压输出。
- **电动工具和电动车辆:** 作为电机驱动系统中的关键元件,支持高功率输出和长时间运行,例如电动汽车的电池管理系统和驱动控制单元。
- **工业自动化设备:** 在需要稳定高压供电和快速开关响应的工业控制系统中,确保设备的高效运行和长期可靠性。
- **LED照明系统:** 在需要稳定驱动和高效率能转换的LED照明驱动器中,支持LED灯具的长寿命和节能特性。
综上所述,9487M-VB MOSFET由于其高压耐受能力、低导通电阻和适中的电流承载能力,适用于多种对高压稳定性和功率密度要求较高的电子设备和系统中。
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