--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
#### 9468GH-VB 产品简介
9468GH-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。该器件具有高漏源电压和极低导通电阻,适用于需要高电流承载和高效率的电子应用。采用沟槽技术(Trench Technology),提供了优异的性能和稳定性。
### 二、详细的参数说明
- **型号**: 9468GH-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: 沟槽技术 (Trench Technology)

### 三、适用领域和模块
9468GH-VB 在多个领域和模块中都有广泛的应用,具体如下:
#### 电源管理
9468GH-VB 可以用于高功率的DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)和稳压电源。其极低的导通电阻和高电流承载能力能够显著提高能量转换效率和系统的稳定性,适合各种需要高效能电源管理的应用场合。
#### 电动汽车
在电动汽车的电动驱动系统中,9468GH-VB 可以应用于电机驱动器和电池管理单元(BMU)。其高电流和耐压特性使其能够在高功率和高效率的环境中工作,确保系统的可靠性和长期性能。
#### 工业控制
9468GH-VB 可以用于工业电机控制、逆变器模块和电源开关。其快速开关和低损耗特性有助于提高工业设备的效率和响应速度,适用于工业自动化和控制系统中的各种应用。
#### 服务器和数据中心
在高性能服务器和数据中心中,9468GH-VB 可以应用于电源分配单元和高效能供电系统。其优异的热管理和电流承载能力使其成为处理器电源管理和高密度计算的理想选择。
通过以上应用示例可以看出,9468GH-VB 是一款性能卓越、适用广泛的N沟道MOSFET,特别适合需要高电流承载和低功率损耗的各种高效能电子设备和系统。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12