--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 92T03GH-VB MOSFET
#### 一、产品简介
92T03GH-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO252 封装。该器件具有 30V 的漏源电压(VDS),最大栅源电压(VGS)为 ±20V,阈值电压(Vth)为 1.7V。92T03GH-VB 采用了先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 时为 3mΩ,在 VGS=10V 时为 2mΩ。这使得它能够在高电流应用中提供高效率,最大连续漏极电流(ID)为 100A。
#### 二、详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS=4.5V 时:3mΩ
- VGS=10V 时:2mΩ
- **最大连续漏极电流(ID)**:100A
- **技术类型**:沟槽技术

#### 三、适用领域和模块举例
92T03GH-VB 的高电流承受能力和低导通电阻使其适用于多种高性能应用,包括但不限于:
- **电源模块**:该 MOSFET 可以用于开关电源和电源管理模块,如笔记本电脑和台式电脑的 DC-DC 变换器,以及高效能的逆变器。
- **电动工具**:在电动工具的电源控制模块中,92T03GH-VB 能够处理高电流负载,提供更高的功率密度和更长的使用时间。
- **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)**:用于电动汽车和混合动力汽车中的电机驱动器模块,提高电动车的动力效率和续航能力。
- **服务器和数据中心设备**:在服务器和数据中心设备的电源管理和电源分配模块中,92T03GH-VB 可以提供高效的能源转换和散热管理,以降低能耗并增加设备可靠性。
这些应用领域显示了 92T03GH-VB MOSFET 在需要高电流、低损耗和高效率的电子系统中的重要性和广泛应用。
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