--- 产品参数 ---
- 封装 TSSOP8
- 沟道 Common Drain-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
926A-VB 是一款集成了共源极N+N沟道配置的功率MOSFET,采用TSSOP8封装,具备20V的漏源电压和6.6A的连续漏极电流能力。采用先进的沟槽技术,该器件在低电压下表现出色,适用于要求高效能和小尺寸的电路设计。
### 产品参数
- **型号**:926A-VB
- **封装**:TSSOP8
- **配置**:共源极N+N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:20V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏极电流 (ID)**:6.6A
- **技术**:Trench(沟槽)

### 应用领域和模块
926A-VB MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **移动设备**:
- 由于其小尺寸和低电压优势,926A-VB 可以用于智能手机、平板电脑等移动设备中的功率管理模块,如电池管理、充电管理和功率放大器。
2. **消费电子**:
- 在各类消费电子产品中,如便携式音频设备、便携式电源等,926A-VB 可以提供高效的电源管理和能量转换。
3. **医疗设备**:
- 适用于医疗设备中的小型电路设计,如便携式医疗设备、监测设备等,要求电路高效能和稳定性。
4. **工业控制**:
- 在工业自动化控制系统中,926A-VB 可用于小型电机控制、传感器驱动和数据采集模块,提供可靠的功率开关和电流控制。
5. **车载电子**:
- 在汽车电子系统中,如车载充电器、LED驱动器和小型电动汽车的电机驱动模块,926A-VB 可以有效地管理功率转换和电能效率。
926A-VB MOSFET 以其优越的电气性能和灵活的应用特性,适合于多种对尺寸、效率和性能有严格要求的电子设备和系统。
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