### 8NH3L-VB MOSFET 产品简介
8NH3L-VB是一款单N沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)封装，适合于小型电子设备和电路板的紧凑空间。它具有低导通电阻和高电流承受能力，适用于需要高效能和高功率密度的应用场合。
### 8NH3L-VB 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: DFN8(3X3)
- **配置 (Configuration)**: 单N沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术 (Technology)**: Trench
### 适用领域和模块应用示例
8NH3L-VB MOSFET适用于以下各种领域和模块中：
1. **电源管理**: 在小型电子设备和便携式设备的电源管理电路中，用于提供高效能的电源开关和稳定的电流控制。
2. **电机驱动**: 作为电机驱动电路中的开关元件，用于电动工具、无人机和其他电动设备中，提供高功率密度和高效率的电机控制。
3. **电动车辆**: 在电动汽车和电动自行车的电池管理和功率控制系统中，用于电池充放电管理和驱动电机的高效能功率转换。
4. **消费电子**: 在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等便携式电子设备的电源管理和功率控制电路中，优化电池寿命和设备性能。
5. **LED照明**: 在高亮度LED照明系统中，用于LED驱动电路的高效能控制和稳定的电流输出，提供持久的照明效果和能效。
8NH3L-VB MOSFET因其小尺寸、低导通电阻和高电流能力，特别适用于对空间和效能要求较高的现代电子设备和系统中。
