--- 产品参数 ---
- 封装 TSSOP8
- 沟道 Common Drain-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
VBsemi 880AE-VB 是一款双N沟道共源放大器MOSFET,采用TSSOP8封装。该器件适用于低电压、高电流的应用场合,具有低导通电阻和高电流承载能力。
### 二、详细参数说明
| 参数 | 数值 |
|------------------------|---------------------|
| 封装类型 | TSSOP8 |
| 配置 | 双N沟道共源放大器 |
| 漏源电压 (VDS) | 20V |
| 栅源电压 (VGS) | ±12V |
| 阈值电压 (Vth) | 0.5~1.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 18mΩ @ VGS=2.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 14mΩ @ VGS=4.5V |
| 连续漏极电流 (ID) | 7.6A |
| 技术 | Trench |

### 三、应用领域和模块示例
1. **手机和平板电脑**:
- 在移动设备中,880AE-VB 可用于电源管理单元,如电池充电管理和DC-DC转换器。其低导通电阻有助于提高能效,同时高电流承载能力确保了设备的稳定性和长时间运行。
2. **便携式消费电子产品**:
- 在便携式音频设备、数码相机和手持游戏机等产品中,该MOSFET可用于电源开关和电流控制,以支持设备的高效能和长电池寿命。
3. **汽车电子**:
- 在汽车电子领域,880AE-VB 可用于汽车灯光控制、电动窗控制和电动座椅调节器。其优异的电流承载能力和稳定的性能特性使其适合于多种汽车电子系统中的功率开关应用。
4. **工业控制**:
- 在工业自动化设备中,如PLC控制系统、电机驱动和机器人控制器,该MOSFET能够提供可靠的电源开关和电流管理功能,以支持复杂的工业应用场景。
通过以上示例,可以看出 VBsemi 880AE-VB 在低电压、高电流应用中具有广泛的应用前景,特别适用于需要高效能和稳定性的电源管理和开关控制领域。
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