--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、840H-VB 产品简介
840H-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装。它具有高电压承受能力和适中的导通电阻,在中等电压条件下表现稳定,适合于要求高效能和可靠性的功率开关和电源管理应用。
### 二、840H-VB 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: TO263
- **配置 (Configuration)**: 单 N 沟道 (Single N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术 (Technology)**: Plannar

### 三、适用领域和模块举例
840H-VB MOSFET 可以广泛应用于以下领域和模块:
1. **电力电子**:用于中压直流-直流转换器和直流-交流逆变器中,作为关键的功率开关器件,能够提供稳定的电源转换和管理。
2. **电动车辆**:适用于电动汽车中的电池管理系统和电机控制模块,能够处理中等电流和中高功率需求,确保车辆的高效运行和安全性能。
3. **工业控制**:在工业自动化系统中,作为电机驱动和电力分配的关键组件,确保设备的稳定运行和高效能输出。
4. **电源供应**:用于服务器和通信设备的电源管理模块中,保证设备长时间稳定工作,并提供高效的电能转换。
5. **可再生能源**:应用于太阳能和风能发电系统中的逆变器和电池管理单元,支持清洁能源的稳定供电和管理。
综上所述,840H-VB 是一款适用于中等电压和中等电流条件下的单 N 沟道 MOSFET,能够满足多种功率管理和开关需求,提供稳定、高效的电能控制和转换。
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