--- 产品参数 ---
- 封装 TO262
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
82N055-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO262封装,具有高性能和可靠性。该器件采用Trench技术,适合需要高电流承载能力和低导通电阻的应用场合。
### 详细参数说明
- **型号**:82N055-VB
- **封装**:TO262
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:120A
- **技术**:Trench(沟道)

### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**
- **开关电源和逆变器**:用于工业电源、服务器电源和通信设备的高效能电源管理。
- **电动工具和家用电器**:在电动工具、电磁炉和照明设备中,提供高效能的功率开关控制。
2. **电动车辆**
- **电动汽车和混合动力车辆**:用于电动马达控制、电池管理和充电控制,支持高效能的能源转换和车辆动力系统。
3. **工业自动化**
- **驱动器和控制系统**:在工业机器人、自动化生产线和电机控制系统中,提供高效的电机驱动和控制。
4. **通信设备**
- **基站和网络设备**:在通信基础设施中,用于功率放大器和电源模块的功率管理和控制。
82N055-VB由于其低导通电阻、高漏极电流和Trench技术的优势,适用于需要高功率密度和高效率的各种电源和功率管理应用。它为工程师提供了可靠的功率开关解决方案,能够满足多种工业和消费电子设备的设计需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12