企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

82N055-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 82N055-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO262
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

82N055-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO262封装,具有高性能和可靠性。该器件采用Trench技术,适合需要高电流承载能力和低导通电阻的应用场合。

### 详细参数说明

- **型号**:82N055-VB
- **封装**:TO262
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:120A
- **技术**:Trench(沟道)

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理**
  - **开关电源和逆变器**:用于工业电源、服务器电源和通信设备的高效能电源管理。
  - **电动工具和家用电器**:在电动工具、电磁炉和照明设备中,提供高效能的功率开关控制。

2. **电动车辆**
  - **电动汽车和混合动力车辆**:用于电动马达控制、电池管理和充电控制,支持高效能的能源转换和车辆动力系统。

3. **工业自动化**
  - **驱动器和控制系统**:在工业机器人、自动化生产线和电机控制系统中,提供高效的电机驱动和控制。

4. **通信设备**
  - **基站和网络设备**:在通信基础设施中,用于功率放大器和电源模块的功率管理和控制。

82N055-VB由于其低导通电阻、高漏极电流和Trench技术的优势,适用于需要高功率密度和高效率的各种电源和功率管理应用。它为工程师提供了可靠的功率开关解决方案,能够满足多种工业和消费电子设备的设计需求。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1114浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    852浏览量