--- 产品参数 ---
- 封装 TO262
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 82N04LG-VB MOSFET 产品简介
82N04LG-VB是一款低压单N沟道MOSFET,采用TO262封装,适用于高电流和低压降要求的电子设备应用。该器件具有低漏极电压、优异的导通特性和稳定的开关性能,适合于需要高功率和高效率的电源管理和开关控制。
### 82N04LG-VB 详细参数说明
- **封装类型 (Package)**: TO262
- **配置 (Configuration)**: 单N沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术 (Technology)**: Trench

### 适用领域和模块应用示例
82N04LG-VB MOSFET适用于以下各种领域和模块中:
1. **电动工具**: 在高功率电动工具中,如电动锤、电动刨等,用于提供稳定的电源和高效率的电动机控制。
2. **电源模块**: 在服务器和工业电源设备中,用于稳定的电流输出和快速的开关操作,确保设备的高性能和长时间稳定运行。
3. **电动车辆**: 作为电动车辆的电机驱动器,能够处理高电流和频繁的开关操作,提供安全可靠的驱动能力。
4. **电源逆变器**: 在太阳能和风能发电系统中,用于逆变和管理电能转换,提高系统的整体效率和可靠性。
5. **工业控制**: 在工业自动化和控制系统中,用于开关电源、电动机控制和变频器应用,确保生产过程的稳定性和效率提升。
82N04LG-VB MOSFET由于其优异的导通特性、高电流承载能力和稳定的开关性能,是工程师们设计高功率和高效率电子设备时的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12