--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、80N6F6-VB TO220 产品简介
80N6F6-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,封装形式为TO220。具有60V的耐压能力和极低的导通电阻,适合于高功率、高效能量转换和稳定电源控制的应用场合。
### 二、80N6F6-VB TO220 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **耐压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **门限电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:9mΩ @ VGS = 4.5V, 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流(ID)**:210A
- **技术**:Trench

### 三、80N6F6-VB TO220 应用领域和模块示例
80N6F6-VB TO220 可以在多个领域和模块中广泛应用,以下是几个典型的示例:
1. **电动车辆**:
在电动汽车的电动驱动系统中,80N6F6-VB 可以作为电机控制器的主要功率开关器件。其高电流处理能力和低导通电阻特性确保了系统的高效能量转换和动力输出。
2. **工业电源模块**:
在工业控制系统的电源模块和变频器中,80N6F6-VB 提供了稳定的电源管理和高效能量转换能力。其耐压特性和Trench技术保证了长期的可靠性和稳定性。
3. **电动工具**:
在各类需要高功率和高效能转换的电动工具和家用电器中,如电动锤、电动锯等,80N6F6-VB TO220 的高电流处理能力和低导通电阻特性确保了设备的稳定运行和长寿命。
4. **电力电子**:
在需要处理高功率和高效能转换的电力电子应用中,如电力供应器和UPS系统,80N6F6-VB TO220 可以提供可靠的功率开关和电流控制解决方案。
80N6F6-VB TO220 是一款性能优越的单N沟道MOSFET,适用于多种高功率和高效能量转换的电子设备和系统。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12