--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介详细:
型号:6R280C6-VB
封装:TO220
配置:单N沟道
耐压(VDS):650V
栅极-源极电压(VGS):±30V
阈值电压(Vth):3.5V
导通电阻(RDS(ON)):160mΩ @ VGS=10V
漏极电流(ID):20A
技术:SJ_Multi-EPI
### 2. 详细的参数说明:
- **型号**:6R280C6-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **耐压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI

### 3. 适用领域和模块示例:
6R280C6-VB MOSFET适用于多种高压应用场合,以下是一些示例说明其适用性:
- **电源开关**:在电源开关电路中,6R280C6-VB 可以提供可靠的开关性能和较低的导通电阻,适合用于工业和通信设备的电源管理系统中。
- **电动车电池管理**:作为电动车电池管理系统的一部分,这款MOSFET可以处理高电压和高电流,确保电池充放电的高效率和稳定性。
- **电焊设备**:在电焊设备中,需要处理高电流和频繁的开关操作,6R280C6-VB 可以提供所需的高功率处理能力。
- **UPS(不间断电源)**:作为UPS系统中的关键组件,确保在主电源故障时提供稳定的备用电源转换。
这些示例突显了6R280C6-VB MOSFET在多个领域中的应用潜力,表明其在高功率、高压环境中的优越性能和广泛适用性。
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