--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
6R165P-VB 是一款高性能单通道 N 型 MOSFET,采用 TO263 封装。它具有650V 的漏极-源极电压 (VDS),适用于需要中高功率和高效率转换的应用场合。
### 详细参数说明
- **型号**: 6R165P-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单通道 N 型
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI(多重外延)

### 应用领域及模块举例
1. **电源管理**
- **电源转换器**:6R165P-VB 可以用作电源转换器中的开关元件,支持高效的电能转换和稳定的电流输出,适用于家庭电器和工业设备的电源管理。
- **UPS(不间断电源)**:在需要稳定备份电源的环境中,如数据中心和医疗设施,确保电力持续供应,保护设备和数据安全。
2. **工业电子**
- **工业自动化**:在工业控制系统中,6R165P-VB 可以作为电机驱动器和控制器的关键组件,支持高效的电动驱动和精确的位置控制。
- **电动工具**:用于驱动高功率电动工具和设备,如电动锤和磨床,提供可靠的电力输出和持久的使用寿命。
3. **太阳能逆变器**
- **太阳能发电系统**:在太阳能逆变器中,6R165P-VB 可以实现太阳能电池板直流到交流的高效能转换,提供清洁能源给家庭和商业用电需求。
- **充电控制器**:用于太阳能充电系统中的电池管理和充电控制,确保高效的能量转换和长期的系统稳定性。
4. **汽车电子**
- **电动汽车充电器**:适用于电动汽车充电器的电源管理模块,支持高速充电和稳定的电流输出,提升电动车辆的充电效率和使用便利性。
- **电动汽车驱动系统**:在电动汽车的电动驱动系统中,提供高效的电流控制和动力输出,增强车辆的驾驶性能和能效。
6R165P-VB 由于其优秀的电性能和高效率转换特性,适用于多种需要中高功率和稳定性能的电子和电力应用,是工程师设计高性能电源和控制系统时的优选。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12