--- 产品参数 ---
- 封装 TO247
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 6R160C6-VB TO247 MOSFET Product Overview
**产品简介详述:**
6R160C6-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO247封装。该MOSFET设计用于高压、高电流应用场合,提供卓越的功率开关性能和可靠性。它具有650V的漏极-源极电压(VDS)额定值和±30V的栅极-源极电压(VGS)容限。门限电压(Vth)为3.5V,适合广泛的工业和商业应用。在VGS为10V时,其导通电阻RDS(on)为75mΩ,保证了低导通损耗。该器件能够持续承受高达47A的漏极电流(ID),采用了SJ_Multi-EPI技术,结合了多晶硅和外延晶体管技术的优势。
### 6R160C6-VB TO247 MOSFET 详细参数说明
**详细参数:**
- **器件配置:** 单N沟道
- **封装类型:** TO247
- **漏极-源极电压(VDS):** 650V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **门限电压(Vth):** 3.5V
- **漏极-源极导通电阻(RDS(on)):**
- VGS = 10V时:75mΩ
- **持续漏极电流(ID):** 47A
- **技术特点:** SJ_Multi-EPI(多晶硅外延晶体管技术)

### 适用领域和模块示例
**应用领域和模块:**
6R160C6-VB TO247 MOSFET适用于多种领域和模块,包括:
1. **工业电力电子:**
- 用于工业电源系统中的开关电源、逆变器和变频器,支持高效率和高功率的电力转换。
2. **电动汽车充电器:**
- 在电动车充电桩和快速充电设备中使用,支持高电流充电和电能转换效率。
3. **太阳能逆变器:**
- 在太阳能发电系统中实现高效的DC-AC转换,支持太阳能电站和户用太阳能系统的稳定运行。
4. **电力传输和分配:**
- 用于电力传输和配电系统中的电源开关和控制,确保电网稳定性和能源效率。
5. **医疗设备:**
- 在医疗设备的电源管理和控制中使用,如高频电疗设备和影像诊断设备。
6. **电动工具和家用电器:**
- 在高功率电动工具和家电设备中的电源控制和电机驱动,确保高效能和可靠性。
通过将6R160C6-VB TO247 MOSFET应用于这些领域和模块,设计者可以实现更高的性能、可靠性和能效,满足复杂电子系统的需求,并推动技术在高功率应用中的应用和发展。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12