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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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60T03AH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 60T03AH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**型号:** 60T03AH-VB  
**封装:** TO252  
**配置:** 单N沟道  
**VDS:** 30V  
**VGS:** 20(±V)  
**Vth:** 1.7V  
**RDS(ON):** 
- 6mΩ @ VGS=4.5V  
- 5mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 80A  
**技术:** Trench

60T03AH-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,适用于中功率应用。它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),以及1.7V的门限电压(Vth)。其导通电阻(RDS(ON))在不同栅极-源极电压下为6mΩ(在VGS=4.5V时)和5mΩ(在VGS=10V时),最大连续漏极电流(ID)为80A。采用Trench技术的设计,能够提供优异的导通特性和高效的功率管理能力。

### 详细参数说明

| 参数                | 数值        |
|-------------------|-----------|
| 型号                | 60T03AH-VB |
| 封装                | TO252     |
| 配置                | 单N沟道    |
| 漏极-源极电压(VDS) | 30V       |
| 栅极-源极电压(VGS) | 20(±V)  |
| 门限电压(Vth)      | 1.7V      |
| 导通电阻(RDS(ON))  | 6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V |
| 最大连续漏极电流(ID)| 80A       |
| 技术                | Trench    |

### 应用领域与模块举例

1. **电源管理(Power Management):**
  60T03AH-VB适用于各类中功率电源管理应用中的开关电路和稳压电路。其低导通电阻和高电流能力可以确保高效的电能转换和稳定的输出特性。

2. **电动工具(Power Tools):**
  在电动工具中,需要处理高电流和频繁开关的应用场景。60T03AH-VB作为功率开关元件,能够提供可靠的电源控制和高效的电动工具运行。

3. **消费电子(Consumer Electronics):**
  在各种消费电子设备中,如平板电脑、游戏机和家用电器,需要高效的电源管理和稳定的电压输出。这款MOSFET可以应用于电源模块和功率管理单元,以提升设备的性能和能效。

4. **电动车辆(Electric Vehicles):**
  在电动车辆的动力电子系统中,60T03AH-VB可以用作电动机驱动器和电池管理系统的关键组件,支持高效能量转换和优化的驱动控制。

通过以上示例,60T03AH-VB MOSFET展示了其在中功率电源管理、电动工具、消费电子和电动车辆等领域中的广泛应用,以支持各种需求下的高效能量转换和稳定运行。

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