--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**5R350P-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装,适用于中高压开关和功率控制应用。具有650V的击穿电压和15A的连续漏极电流能力,该器件结合了低导通电阻和优秀的热特性,旨在提供稳定和高效的电力管理解决方案。
### 详细参数说明
- **型号**: 5R350P-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**: 650V
- **栅极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 220mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI(多重环保浸润)

### 应用领域和模块举例
1. **电源转换器(Power Converters)**:
- 5R350P-VB 可以用于高效的电源转换器中,包括开关电源、DC-DC转换器和AC-DC转换器,提供稳定的电压输出和电流调节。
2. **电动工具(Power Tools)**:
- 在电动工具中,这款MOSFET可以控制电机驱动,确保工具的高效运行和长时间使用。
3. **太阳能逆变器(Solar Inverters)**:
- 在太阳能发电系统的逆变器中,5R350P-VB 可以实现高效的直流到交流电的转换,提高整体系统的能量转换效率。
4. **工业控制系统(Industrial Control Systems)**:
- 适用于工业自动化和控制系统中的电力管理和驱动控制,确保设备的可靠性和效率。
5. **电动车充电器(Electric Vehicle Chargers)**:
- 在电动车辆充电设备中,这款MOSFET可以用于高效的DC-DC转换器和充电控制模块,提供稳定的充电电流和保护功能。
综上所述,5R350P-VB 作为一款中高压、中等电流处理能力的N沟道MOSFET,适用于多种要求稳定和高效能耗管理的工业和消费电子应用场合,为系统的性能优化和能源效率提升提供了可靠的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12