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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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5R250P-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 5R250P-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**型号:** 5R250P-VB TO263  
**封装:** TO263  
**配置:** 单N沟道  
**VDS:** 650V  
**VGS:** 30(±V)  
**Vth:** 3.5V  
**RDS(ON):** 160mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 20A  
**技术:** SJ_Multi-EPI

5R250P-VB TO263是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO263封装,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。其开启电压(Vth)为3.5V,导通电阻(RDS(ON))为160mΩ(在VGS=10V时),最大连续漏极电流(ID)为20A。该MOSFET采用SJ_Multi-EPI技术,结合了多重外延技术,适用于高压、高电流和低导通电阻要求的应用。

### 详细参数说明

| 参数                | 数值        |
|-------------------|-----------|
| 型号                | 5R250P-VB TO263 |
| 封装                | TO263      |
| 配置                | 单N沟道     |
| 漏极-源极电压(VDS) | 650V       |
| 栅极-源极电压(VGS) | 30(±V)   |
| 门限电压(Vth)      | 3.5V       |
| 导通电阻(RDS(ON))  | 160mΩ @ VGS=10V |
| 最大连续漏极电流(ID)| 20A        |
| 技术                | SJ_Multi-EPI |

### 应用领域与模块举例

1. **电动车充电桩(EV Charging Stations):**
  5R250P-VB TO263 MOSFET适用于电动车充电桩的直流充电模块中。其高电流和低导通电阻特性使其能够提供高效的电源开关控制,处理充电桩中的高电流要求,确保充电效率和速度。

2. **工业电源模块(Industrial Power Modules):**
  在工业电源模块中,这款MOSFET可以作为开关管,用于处理工厂设备和机械的电源控制。其高电压能力和低导通电阻确保了工业设备的高效运行和可靠性。

3. **太阳能逆变器(Solar Inverters):**
  在太阳能逆变器中,5R250P-VB TO263 MOSFET能够帮助实现从直流电到交流电的高效能量转换。它能够处理逆变器中的高电压和电流要求,提升逆变器的转换效率和稳定性。

4. **电动汽车驱动系统(Electric Vehicle Drive Systems):**
  在电动汽车的驱动系统中,这款MOSFET可以用于电动机控制电路,处理高电压和高电流的要求。它能够提供可靠的电机驱动和效率,支持电动汽车的高性能和长续航能力。

通过以上示例,5R250P-VB TO263 MOSFET展示了其在高压、高电流和低导通电阻应用场景中的优越性能,适合于电动车充电、工业电源和电动车驱动等多个领域的关键电路设计。

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