企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

5N90G-TA3-T-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 5N90G-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介
5N90G-TA3-T-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO220 封装,适用于高压和高效率的电源和控制应用。该器件具有900V的漏极-源极电压 (VDS) 和 ±30V 的栅极-源极电压 (VGS),适合于需要高电压和高可靠性的电子系统设计。

### 详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:900V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1500mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:5A
- **技术**:SJ_Multi-EPI (多重外延晶体管技术)

### 应用领域及模块举例

#### 应用领域

1. **电力转换**
  - 5N90G-TA3-T-VB 可用于电力转换器、逆变器和其他高压电源系统中,特别是需要处理大电流和高电压的应用场合。其低导通电阻和高电流能力确保了系统的效率和可靠性。

2. **工业自动化**
  - 在工业控制和自动化系统中,该型号 MOSFET 可以用于驱动电机、控制电磁阀和其他高功率负载,提供稳定的电力控制和高效率的能量转换。

3. **电源管理**
  - 对于要求高效率和高可靠性的电源管理系统,5N90G-TA3-T-VB 是一种理想选择。它可以用于开关电源、UPS(不间断电源系统)和其他高性能电源设备中,以确保稳定和高效的电力传输。

#### 模块举例

1. **电力转换模块**
  - 在高压电力转换模块中,5N90G-TA3-T-VB 可以用作开关器件,提供高效率的能量转换和稳定的功率输出,适用于需要处理大功率的应用场合。

2. **工业控制模块**
  - 在工业控制模块中,该器件可用于驱动大功率负载,如电机和电磁阀,以及控制系统中的高压电源单元,确保系统的稳定性和可靠性。

3. **逆变器模块**
  - 对于需要将直流电源转换为交流电源的逆变器模块,5N90G-TA3-T-VB 提供了高效率和稳定的性能,适用于太阳能逆变器、电动车充电器等高压逆变应用。

综上所述,5N90G-TA3-T-VB 是一款适用于多种高压和高功率应用的单 N 沟道功率 MOSFET,具有优异的电性能和可靠性,适合于工业、电力转换和电源管理等领域的设计与应用。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1164浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    886浏览量