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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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5N60-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 5N60-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**型号:** 5N60-VB TO220  
**封装:** TO220  
**配置:** 单N沟道  
**VDS:** 650V  
**VGS:** 30(±V)  
**Vth:** 3.5V  
**RDS(ON):** 2200mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 4A  
**技术:** 平面型

5N60-VB TO220是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220封装,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。其开启电压(Vth)为3.5V,导通电阻(RDS(ON))为2200mΩ(在VGS=10V时),最大连续漏极电流(ID)为4A。这款MOSFET使用平面型技术,适用于高压应用场景。

### 详细参数说明

| 参数                | 数值        |
|-------------------|-----------|
| 型号                | 5N60-VB TO220 |
| 封装                | TO220      |
| 配置                | 单N沟道     |
| 漏极-源极电压(VDS) | 650V       |
| 栅极-源极电压(VGS) | 30(±V)   |
| 门限电压(Vth)      | 3.5V       |
| 导通电阻(RDS(ON))  | 2200mΩ @ VGS=10V |
| 最大连续漏极电流(ID)| 4A         |
| 技术                | 平面型     |

### 应用领域与模块举例

1. **开关电源(Switching Power Supplies):**
  5N60-VB TO220 MOSFET可以用于开关电源模块中,由于其高压特性和低导通电阻,能够提高电源效率和稳定性。在这种应用中,该器件可以作为主开关管来实现高效能量转换。

2. **电机驱动(Motor Drivers):**
  在电机驱动电路中,5N60-VB TO220 MOSFET能够通过其高电流和高电压特性,提供可靠的电机控制和保护。该器件能够处理电机启动和运行过程中产生的高瞬态电流,确保电机稳定运行。

3. **光伏逆变器(Photovoltaic Inverters):**
  在光伏逆变器中,5N60-VB TO220 MOSFET能够帮助实现DC到AC的高效能量转换。其高耐压和高电流能力使其适用于处理太阳能板输出的高电压和电流,从而提升系统的转换效率。

4. **工业自动化(Industrial Automation):**
  该MOSFET在工业自动化设备中,可以用于各种控制和驱动电路,例如在PLC、伺服驱动器等模块中,凭借其高可靠性和高效能,能够确保设备长期稳定运行。

通过这些应用场景,5N60-VB TO220 MOSFET显示出其在高压、高效能转换需求下的卓越性能,是多种工业和电力应用中的理想选择。

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