企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

5LN01SS-VB一款Single-N沟道SC75-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 5LN01SS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SC75-3
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

5LN01SS-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SC75-3封装,具有低功耗、低导通电阻和高效率的特点,适合于低功率应用和电池驱动系统中的功率开关控制。

### 详细参数说明

- **型号:5LN01SS-VB**
- **封装类型:SC75-3**
- **配置:单N沟道**
- **漏源电压 (VDS):60V**
- **栅源电压 (VGS):±20V**
- **阈值电压 (Vth):1.7V**
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 2000mΩ @ VGS=4.5V
 - 1200mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID):0.33A**
- **技术:Trench**

### 应用领域和模块举例

5LN01SS-VB适用于以下领域和模块:

1. **移动设备**:在便携式设备和消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和便携式电子设备中的电池管理和功率控制电路。

2. **低功耗电子**:用作低功耗逻辑电路的电源开关元件,以实现能效优化和长电池续航时间。

3. **电池驱动系统**:在电池供电的设备和系统中,如电动工具、无线传感器节点和便携式医疗设备中的电源开关控制。

4. **汽车电子**:在汽车电子系统中的低功耗电路和小功率驱动电路中,如车内电子设备、灯光控制和小型电动机驱动。

通过以上应用示例,可以看出5LN01SS-VB适用于需要低功耗、高效率和紧凑封装的各种电子设备和系统中,特别是对于便携式和电池驱动应用具有重要意义。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1284浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    990浏览量