企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

55N80C3-VB一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 55N80C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO247
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

55N80C3-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO247封装,适合高压应用。它具有800V的漏源电压能力和低导通电阻特性,适用于需要高电压和高功率处理的场合。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO247
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 800V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 90mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 47A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块

55N80C3-VB适用于以下几个主要领域和模块:

1. **电源转换器**:
  由于其高漏源电压和能够承受大电流的特性,55N80C3-VB非常适合用作电源转换器中的开关管。在DC-DC转换器和AC-DC转换器中,它能够有效地控制电能转换过程,提供稳定的电压输出。

2. **电动工具和工业控制**:
  在工业设备和电动工具中,55N80C3-VB可以作为电机驱动器的关键部件,用于控制电机的启动、停止和转速调节。其高效能特性能够提升设备的运行效率和响应速度。

3. **电力供应**:
  在高压电力供应系统中,55N80C3-VB可以用于电力开关设备和变频器中,确保电网稳定运行和电力传输的可靠性。

4. **电动车充电器**:
  在电动车充电器的设计中,55N80C3-VB可以控制电流和电压输出,确保电池充电过程的安全和高效。

综上所述,55N80C3-VB TO247 MOSFET适用于需要高电压、高功率处理和高效能转换的各种应用场合,包括电源转换器、电动工具、电力供应和电动车充电器等领域,为电力管理和控制提供了可靠的解决方案。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1284浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    990浏览量