--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 55N03-VB 产品简介
55N03-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(30V)和高电流处理能力,适合于高性能电子设备和功率管理应用。
### 55N03-VB 详细参数说明
- **封装形式**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例
#### 电源管理和功率放大器
55N03-VB 可以作为功率放大器和高性能电源管理电路中的关键元件,用于提供高效的功率放大和稳定的电流控制。其低导通电阻和高电流能力使其在音频放大器和功率逆变器中表现出色。
#### 电动工具和电动车辆
在电动工具和电动车辆的电动驱动系统中,如电动摩托车和电动汽车的电池管理系统中,55N03-VB 可以用作电机控制和电流开关,确保高效的能源转换和系统的高性能。
#### 工业控制和自动化设备
在工业控制系统和自动化设备中,如工业机器人、自动化生产线和PLC控制系统中,55N03-VB 可以提供可靠的电流开关和高效的能源管理,确保设备的稳定运行和节能效果。
#### 通信设备和数据中心电源分配
在通信设备和数据中心的电源分配系统中,55N03-VB 可以用作高性能开关电源和电流调节器,确保设备在高频率和高功率下的稳定运行和低能耗。
通过以上示例,可以看出 55N03-VB 在高性能电子系统和功率管理领域中具有广泛的应用潜力,特别适合需要高效能能源管理和稳定性能的应用场合。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12