企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

55L104G-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 55L104G-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

55L104G-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,具有高性能和可靠性,适合于中功率电子应用。

### 详细参数说明

- **型号:55L104G-VB**
- **封装类型:TO252**
- **配置:单N沟道**
- **漏源电压 (VDS):60V**
- **栅源电压 (VGS):±20V**
- **阈值电压 (Vth):1.7V**
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID):18A**
- **技术:Trench**

### 应用领域和模块举例

55L104G-VB适用于多种电子领域和模块,例如:

1. **电源管理模块**:用于设计中功率的DC-DC转换器和稳压模块,如工业电源和通信设备的电源管理模块,提供稳定的电压输出和高效的能源转换。

2. **电动工具**:作为电动工具中电机驱动的功率开关,例如电动扳手、电动剪刀等,确保电机驱动的高效率和长期稳定运行。

3. **汽车电子系统**:在汽车电子系统中的电动窗控制、车灯控制和电动座椅控制模块中使用,提供精确的电气控制和高效的能量管理。

4. **LED驱动器**:用作LED照明系统中的功率开关,确保LED驱动的高效率和稳定性,例如室内照明和汽车前照灯驱动器。

综上所述,55L104G-VB因其高性能和适中功率特性,适用于需要稳定可靠的功率开关和能量管理解决方案的各种电子应用场合。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1284浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    990浏览量