--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、5117LG-VB 产品简介
5117LG-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用TO252封装。该产品具有高负向漏极-源极电压(VDS)和低导通电阻,适用于需要高功率承载和低电压降的电源开关和功率管理应用。采用Trench技术设计,具有优异的导通特性和高效率,适合要求高性能和可靠性的电子设备设计。
### 二、5117LG-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单P沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:-60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 8mΩ @ VGS = 4.5V
- 5.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:-70A
- **技术**:Trench

### 三、适用领域和模块举例
5117LG-VB TO252 MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源开关和逆变器**:
- 5117LG-VB 可以作为电源开关用于逆变器和电力转换系统,支持电源管理和电力电子转换的高效能和稳定性。
2. **电动工具和家电**:
- 在电动工具和家用电器的电机控制系统中,该MOSFET可以用作电机驱动开关,支持设备的高功率输出和长时间运行。
3. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中的电池管理和动力传输中,5117LG-VB 可以用于电池保护和电动汽车动力管理系统的高效能和可靠性。
4. **工业控制**:
- 在工业自动化控制系统中,该MOSFET可以用于电源开关和电机控制,支持工厂设备的高效能运行和生产效率提升。
5. **消费电子**:
- 在高性能消费电子产品中,如游戏机和计算机的电源管理和功率分配电路中,5117LG-VB 可以提升设备的性能和能效,提供优质的用户体验。
以上示例展示了5117LG-VB TO252 MOSFET 的多样化应用场景,适用于多种要求高功率承载和低电压降的电子设备和系统。
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