--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 5321GM-VB SOP8 MOSFET 产品简介
5321GM-VB 是一款双N+N沟道MOSFET,采用SOP8封装。该器件具备100V的漏极电压(VDS)和±20V的栅极电压(VGS)额定值,阈值电压(Vth)为1.8V。采用Trench技术,具有低导通电阻(RDS(ON)),在VGS为10V时为63毫欧,能够提供最大5.8A的漏极电流(ID)。适用于需要高电压和中电流负载开关以及电流控制的应用场合。
### 5321GM-VB SOP8 MOSFET 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|-----------|--------------------------------|
| 封装 | SOP8 |
| 配置 | 双N+N沟道 |
| 漏极电压 (VDS) | 100V |
| 栅极电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.8V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 63mΩ |
| 漏极电流 (ID) | 5.8A |
| 技术 | Trench |

### 5321GM-VB SOP8 MOSFET 的应用领域和模块举例
#### 应用领域
1. **电源管理**:适用于电源开关模块和稳压电路,提供高效的电能转换和稳定的输出电压。
2. **电动工具**:在电动工具的电机驱动单元中,控制电机的启停和速度调节,确保设备的高效运行和长寿命。
3. **工业控制**:用于工业自动化系统中的电机驱动和电源开关单元,如PLC控制器和电动执行器,提供可靠的功率输出和电流管理。
4. **汽车电子**:在汽车电子系统中的电池管理、电动机驱动和电源转换模块中,提供稳定的电力供应和高效的能量转换。
#### 模块举例
1. **电动汽车充电器**:5321GM-VB 可用于电动汽车充电器中的电池管理和功率转换单元,确保快速充电和电能利用率。
2. **家用电子产品**:如智能家居设备和家用电子产品的电源管理模块,提供安全、稳定的电力输出和功率保护功能。
3. **通信设备**:在网络设备和通信基站的电源开关和功率管理单元中,提供高效的电能转换和稳定的电压输出。
5321GM-VB SOP8 MOSFET 由于其高电压承受能力和中等电流特性,适合于多种需要高效电力管理和稳定电压输出的应用场合,能够提供可靠的电力解决方案和优良的热稳定性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12