--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(3X3)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 520N15N-VB 产品简介
520N15N-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 DFN8(3X3) 封装。它具有中等漏极-源极电压(150V)和适中的电流处理能力,适合于小型和中等功率应用场合。
### 520N15N-VB 详细参数说明
- **封装形式**: DFN8(3X3)
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 150V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 35mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 25.5A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例
#### 电源模块和转换器
520N15N-VB 可以作为电源模块和 DC-DC 转换器中的关键组件,用于提供稳定的电力转换和高效能的能源管理。其低导通电阻和适中的电流特性使其在小型电源设备中表现出色。
#### 电动工具和家用电器
在电动工具和家用电器中,如电动剪刀、吸尘器和电炉等设备的功率控制中,520N15N-VB 可以提供可靠的电流开关和高效的能源转换,从而改善设备的性能和能效。
#### 电动汽车充电桩
在电动汽车充电桩中,520N15N-VB 可以用作电流控制器和电源开关,确保充电过程中的稳定性和安全性。其高电压容忍能力和低导通电阻有助于提高充电效率并降低能源损耗。
#### 工业控制和电源管理
在工业控制系统和电源管理中,520N15N-VB 可以用于工业自动化设备、电机控制和电源逆变器中,提供稳定可靠的电力输出和高效的能源转换,确保设备的长期稳定运行和节能效果。
通过以上示例,可以看出 520N15N-VB 在小型到中等功率应用中具有广泛的应用潜力,特别适合需要高效能能源管理和稳定性能的电子系统和设备。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12