--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
50N06G-TA3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,具有高性能和低导通电阻特性,适合需要高电流和高效能的功率管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 50N06G-TA3-T-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
50N06G-TA3-T-VB 可以广泛应用于电源管理系统中,如开关电源、DC-DC转换器和逆变器。其低导通电阻和高电流承受能力使其能够在高效率和高频率下工作,提供稳定的电源输出。
2. **电动工具**:
在电动工具和电动车辆的驱动控制系统中,这款 MOSFET 可以作为电机驱动器的关键元件。它能够处理高电流和快速的开关操作,确保电动工具和车辆的高效能和长期可靠性。
3. **电动助力车和电动自行车**:
在个人电动交通工具中,50N06G-TA3-T-VB 可以用作电机控制器的功率开关,支持高效的能量转换和动力输出。它能够提供可靠的动力输出和长时间的电池寿命。
4. **工业自动化**:
在工业控制和自动化系统中,这款 MOSFET 可以用于高频开关电源单元和驱动器,确保快速的响应和高效的电能转换。它适用于各种工业设备和机械的驱动和控制。
5. **LED 照明控制**:
在大功率 LED 照明系统中,50N06G-TA3-T-VB 可以作为 LED 驱动器的功率开关,支持调光和稳定的电流输出。它能够提供高效的照明控制和长寿命的 LED 灯具。
通过以上示例,展示了 50N06G-TA3-T-VB MOSFET 的多样化应用领域和其在不同模块中的关键作用,体现了其高电流处理能力和优异的功率管理特性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12