--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 4N04L04-VB MOSFET 产品简介
4N04L04-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用了Trench技术,封装为TO252。它具有低导通电阻、高电流承载能力和高压耐受性,适合于高功率和高效率的电子应用需求。
### 4N04L04-VB MOSFET 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|------------|---------------------------|
| 封装 | TO252 |
| 配置 | Single-N-Channel |
| VDS | 40V |
| VGS | 20V(±V) |
| Vth | 2.5V |
| RDS(ON) | 6mΩ @ VGS=4.5V |
| | 5mΩ @ VGS=10V |
| ID | 85A |
| 技术 | Trench |

### 4N04L04-VB MOSFET 适用领域和模块应用举例
4N04L04-VB MOSFET 可以在以下领域和模块中得到应用:
1. **电源管理和功率转换**
- 由于其低导通电阻和高电流承载能力,4N04L04-VB 可以广泛用于电源管理单元、DC-DC转换器和DC-AC逆变器,提供高效的电力转换和稳定的电压输出。
2. **电动工具和电动车辆**
- 在需要高功率输出和可靠性的电动工具、电动车辆充电器中,4N04L04-VB 可以作为功率开关器件,用于电动机驱动和电池管理系统,确保系统的高效运行和长期可靠性。
3. **工业自动化**
- 在工业控制系统中,特别是需要处理高电流和高压的应用场合,如机器人控制、自动化设备和工业电源系统,4N04L04-VB 可以提供可靠的电力管理和控制功能。
4. **电池管理和能源存储系统**
- 在电池管理和能源存储系统中,如太阳能逆变器和电动车辆电池管理,4N04L04-VB 可以有效地管理电池的充放电过程,并提供高效的能量转换和电力管理能力。
综上所述,4N04L04-VB MOSFET 适用于需要高功率密度、高效率和可靠性的各种电子和电力应用领域,是现代电子设备和系统设计中重要的功率开关器件之一。
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