--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 4913NG-VB MOSFET产品简介
4913NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有低导通电阻、高电流承载能力和优秀的开关特性,适用于需要高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。
### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明
- **封装形式**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:20V(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V:9mΩ
- VGS = 10V:7mΩ
- **漏极电流 (ID)**:70A
- **技术**:Trench

### 4913NG-VB MOSFET应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
- **电源适配器**:在各种类型的电源适配器中,4913NG-VB可用于高效能力转换和稳定的电压输出,满足不同电子设备的电源需求。
- **DC-DC转换器**:用于DC-DC转换器的功率开关和电流控制,支持设备的高效能力转换和节能操作。
2. **电动工具**:
- **电动车辆**:在电动车辆的电机驱动系统中,4913NG-VB能够实现高功率输出和高效率的电池管理,支持长时间的行驶和快速充电。
- **电动工具**:用于电动工具的电机控制和功率放大器,提升工具的性能和使用寿命。
3. **工业自动化**:
- **工业电机控制**:在工业自动化设备中的电机控制和电源管理,提高设备的生产效率和运行精度。
- **UPS系统**:在不间断电源系统中的电源开关和逆变器电路,确保设备在停电时的可靠供电。
4. **消费电子**:
- **音频放大器**:用于高性能音响系统的功率放大器和扬声器驱动电路,提供清晰、高保真的音质输出。
- **LED照明**:在LED照明系统中的电源开关和驱动电路,实现节能和高亮度的照明效果,适用于各种室内和室外应用场景。
4913NG-VB因其稳定可靠的性能和广泛的应用领域,是工程师在设计需要高功率和高效率电子设备时的理想选择,能够为各种应用提供可靠的电源管理和功率控制解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12