--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)-C
- 沟道 Half-Bridge-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 4902N-VB MOSFET 产品简介
4902N-VB 是一款高性能的半桥(Half-Bridge)N+N通道MOSFET,采用Trench技术,封装为DFN8(5X6)-C。该MOSFET具有低导通电阻和高电流承受能力,适合要求高效能和高功率的应用场合。
### 4902N-VB MOSFET 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|------------|---------------------------|
| 封装 | DFN8(5X6)-C |
| 配置 | Half-Bridge N+N-Channel |
| VDS | 30V |
| VGS | 20V(±V) |
| Vth | 1.7V |
| RDS(ON) | 4mΩ @ VGS=4.5V |
| RDS(ON) | 3.4mΩ @ VGS=10V |
| ID | 60A |
| 技术 | Trench |

### 4902N-VB MOSFET 适用领域和模块应用举例
4902N-VB MOSFET 可以在以下领域和模块中得到应用:
1. **电动车辆和电源系统**
- 由于其半桥配置和高达60A的电流承受能力,4902N-VB 可以用作电动车辆的电机驱动器或电源系统中的功率开关,提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
2. **工业电源和高功率逆变器**
- 在工业电源和高功率逆变器中,4902N-VB 可以用于开关电源和逆变器的电路中,确保高效率的能量转换和可靠的系统运行。
3. **通信设备和服务器电源**
- 在通信设备和服务器的电源管理系统中,4902N-VB 可以用作DC-DC转换器和功率开关,提供稳定的电压输出和高效的能源管理。
4. **工业自动化和机器人控制**
- 在工业自动化和机器人控制系统中,4902N-VB 可以用作电机控制和动作执行的关键元件,实现精确的运动控制和高效的自动化操作。
综上所述,4902N-VB MOSFET 因其半桥配置、高电流承受能力和低导通电阻,在需要高功率和高效率的电子系统设计中具有重要的应用价值。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12