--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、47N10L-VB 产品简介
47N10L-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO263封装。它设计用于提供优异的功率开关特性和低导通电阻,适用于各种需要高电流和高压的功率控制应用。采用先进的沟槽(Trench)技术制造,该器件具备稳定可靠的电气特性,广泛应用于工业、汽车电子、电源管理等领域。
### 二、47N10L-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 20mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 70A
- **技术**: 沟槽(Trench)

### 三、应用领域和模块示例
1. **电动车辆**:
- 47N10L-VB适用于电动汽车和混合动力车辆中的电机控制和电池管理系统。其高电流承载能力和稳定的开关特性,确保了驱动系统的高效运行和长期可靠性。
2. **工业电源**:
- 在工业自动化和电源管理系统中,这款MOSFET可以用作开关电源和DC-DC转换器的关键元件。它的低导通电阻帮助减少能量损耗,提高系统效率。
3. **电源模块**:
- 在各类电源模块中,47N10L-VB能够提供稳定的电源管理和高效的能量转换。它适用于需要高电流输出和快速开关操作的应用场合。
4. **LED照明**:
- 用于LED照明系统的开关电源和调光控制,这款MOSFET能够支持高频率开关和精确的电源调节,适用于室内和室外照明需求。
5. **电动工具**:
- 在电动工具的电机驱动电路中,47N10L-VB可以提供高效的电机控制和快速响应,增强工具的功率和性能表现。
47N10L-VB因其优异的电气性能和多样化的应用场景,为各种高功率电子设备设计提供了可靠的解决方案和支持。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12