--- 产品参数 ---
- 工作温度 85
--- 产品详情 ---
QPD0005M:高效能的6瓦48伏GaN RF晶体管
在现代通信技术快速发展的背景下,5G网络的建设与应用成为了行业的重点。尤其是在基站和大规模多输入多输出(mMIMO)系统中,对高效能射频(RF)功率放大器的需求愈发迫切。Qorvo推出的QPD0005M是一款出色的6瓦48伏GaN RF晶体管,专为满足这一需求而设计。
产品概述
QPD0005M是一款无匹配的单级功率放大器,工作频率范围为2.5至5GHz。其最大输出功率达到39.1 dBm,具有出色的最大漏极效率(71.4%),以及17.8 dB的P3dB增益。这些参数使得QPD0005M非常适合用于基站和5G mMIMO应用。
技术参数
型号:QPD0005M
功率输出:6瓦
工作电压:48伏
频率范围:2.5 - 5GHz
最大输出功率(PSAT):39.1 dBm
最大漏极效率:71.4%
P3dB增益:17.8 dB
封装类型:4.5 x 4 mm DFN
客户痛点
在基站和5G mMIMO系统的设计中,工程师面临着多个挑战:
效率与功率平衡:随着网络需求的增加,基站需要提供更高的功率输出,同时又要确保能效,以降低运营成本。
空间限制:基站设备的体积通常受到限制,因此需要小型化的高性能组件。
频率灵活性:5G技术要求设备能够在不同频段内稳定工作,以适应多样化的应用场景。
QPD0005M通过其高效率、高功率输出和紧凑的封装设计,有效解决了这些痛点。
应用领域
QPD0005M广泛应用于以下领域:
基站:在5G基站中,QPD0005M能够提供强大的信号覆盖和良好的功率效率,确保网络的稳定性和可靠性。
大规模多输入多输出(mMIMO):在需要处理大量用户的场景中,QPD0005M能够支持高数据传输速率,提升用户体验。
无线通信设备:适用于各种无线通信设备,满足不同频段的需求。
结论
QPD0005M作为一款高性能的GaN RF晶体管,凭借其优异的技术参数和广泛的应用领域,成为5G基站和mMIMO系统的理想选择。随着5G网络的不断扩展,选择合适的RF功率放大器将是确保系统性能的关键。QPD0005M无疑是满足这一需求的优秀解决方案,为客户提供了更高效、更可靠的通信体验。
如需了解更多关于QPD0005M的信息,欢迎访问Qorvo官方网站或相关电子元件分销商平台。
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