--- 产品参数 ---
- 封装 DIP8
- 沟道 Dual-N+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
4511GD-VB 是一款双通道 MOSFET,设计用于高效的电源管理和开关控制应用。该器件采用先进的 Trench 技术,集成了 N-Channel 和 P-Channel 结构,适合要求高性能和可靠性的电子系统。
### 详细参数说明
- **型号**: 4511GD-VB
- **封装**: DIP8
- **配置**: Dual-N+P-Channel
- **最大漏源电压 (VDS)**: ±30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: ±1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V: 30mΩ
- @VGS = 10V: 25mΩ

- **最大漏极电流 (ID)**: 7.2A (N-Channel) / -5A (P-Channel)
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块举例
4511GD-VB 可以广泛应用于多个领域和模块,以下是几个典型的应用场景:
1. **电源管理模块**:
- **开关电源**: 由于其低导通电阻和高电流承载能力,4511GD-VB 是理想的选择,可用于开关电源的高效能量转换和稳定电压输出。
- **电池管理系统**: 在需要精确电池充放电控制的应用中,该器件可以确保电池的安全运行和长寿命。
2. **工业控制**:
- **工业自动化**: 4511GD-VB 可以用于工业设备的电动机控制和开关,提供可靠的电力转换和高效能管理。
- **传感器接口**: 在工业传感器网络中,该器件能够稳定供电并确保数据准确采集,支持复杂的自动化系统。
3. **消费电子产品**:
- **移动设备**: 在智能手机、平板电脑等移动设备中,4511GD-VB 可以用作电源管理和保护组件,优化电池寿命和设备性能。
- **家庭电子产品**: 作为家庭电子产品的电源控制器,该器件能够提供稳定的电源输出,保证设备的长期可靠性和安全性。
4. **汽车电子**:
- **车载电子系统**: 在车载电子系统中,4511GD-VB 可以驱动和控制多种汽车电子组件,如车载娱乐系统、电动调节设备等,提升车辆内部的功能和效率。
4511GD-VB 由于其高效能和多功能性,适用于许多要求高性能和可靠性的电子设计项目,是工程师们在设计复杂系统时的首选之一。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12