--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
4424M-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOP8封装,适用于各种低功率转换和开关应用。具有低导通电阻和适中的电流处理能力,能够提供可靠的性能。
### 详细的参数说明
- **型号**:4424M-VB
- **封装**:SOP8
- **配置**:单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**:30V
- **栅极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:13A
- **技术**:Trench

### 适用领域和模块
4424M-VB MOSFET适用于多个低功率转换和开关应用。以下是一些具体的应用实例:
1. **电源管理**:
- 适用于电源适配器、电源开关等低功率电源管理模块,提供高效的电压转换和稳压功能。
2. **LED照明**:
- 在低功率LED照明驱动器中使用,提供可靠的电流控制和稳定的照明效果。
3. **便携式设备**:
- 用于便携式设备的电源管理模块和电路开关,如智能手机、平板电脑等。
4. **工业自动化**:
- 适用于低功率工业控制系统,提供可靠的电流开关和保护功能。
5. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中的低功率模块中使用,如车灯控制、车载充电器等,确保系统的稳定运行和高效能量转换。
4424M-VB MOSFET的低功率特性使其在上述应用中表现出色,能够提供可靠的性能和高效的电能转换。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12