--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**产品型号:4424GM-VB**
4424GM-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOP8封装。具有30V的漏源电压(VDS)、20V的栅源电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth)以及13A的漏极电流(ID)。这款MOSFET采用Trench技术,具有低导通电阻和高电流承受能力,适用于需要高性能功率开关的应用。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**:SOP8
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:13A
- **技术**:Trench

### 三、应用领域和模块示例
**1. 电源管理**
4424GM-VB 可以用于电源管理中的功率开关控制。其高漏源电压和低导通电阻特性使其成为电源管理模块中的关键元件。
**示例**:在服务器电源模块中,4424GM-VB 可以用作功率开关元件,控制电流和电压输出,提高服务器的效率和稳定性。
**2. 直流电机驱动**
在直流电机驱动应用中,4424GM-VB 可以用作电机控制开关,提供高效的电流控制和管理。
**示例**:在电动工具中,4424GM-VB 可以用作电机控制开关,调节电动工具的速度和功率,提高工作效率。
**3. 电动汽车动力管理**
在电动汽车动力管理系统中,4424GM-VB 可以用作电机控制开关,提供高效的动力管理。
**示例**:在电动汽车的电池管理系统中,4424GM-VB 可以用作电池充放电控制开关,确保电池的安全和稳定性。
通过以上应用示例,可以看出4424GM-VB 在需要高性能功率开关控制的各个领域中发挥着重要作用。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12