### 产品简介
**型号：** 4226BGM-VB
**封装：** SOP8
**配置：** 双N+N沟道MOSFET
**主要参数：**
- 漏源电压 (VDS)：30V
- 栅源电压 (VGS)：±20V
- 阈值电压 (Vth)：1.7V
- 导通电阻 (RDS(ON))：12mΩ @ VGS=4.5V，10mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流 (ID)：13.5A
- 技术：Trench（沟槽型）
### 详细参数说明
| 参数名称 | 参数值 |
|-----------------|--------------------|
| 漏源电压 (VDS) | 30V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 12mΩ @ VGS=4.5V |
| | 10mΩ @ VGS=10V |
| 漏极电流 (ID) | 13.5A |
| 功率耗散 (Ptot) | 36W |
| 输入电容 (Ciss) | 11600pF |
| 输出电容 (Coss) | 1600pF |
| 反向传输电容 (Crss) | 300pF |
| 开启时间 (ton) | 9.5ns |
| 关断时间 (toff) | 13ns |
| 工作温度范围 (Tj) | -55°C ~ 175°C |
| 封装类型 | SOP8 |
### 应用领域和模块举例
1. **功率管理**：4226BGM-VB适用于各种功率管理应用，如DC-DC转换器、功率放大器和开关电源等。其双N+N沟道结构使其能够处理高功率和高效率的功率转换。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电机驱动系统中，这款MOSFET可以用于电动汽车控制器、充电桩和电池管理系统等模块，确保系统的高效运行和安全性。
3. **工业控制**：在工业控制系统中，这款MOSFET可用于电机驱动器、变频器和工业电源等模块，提供高效的电能转换和稳定的电源管理。
4. **消费电子**：适用于消费电子产品，如平板电脑、智能手机和家用电器等的电源管理模块，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
5. **通信设备**：在通信设备中，这款MOSFET可以应用于功率放大器、射频开关和功率控制模块等，确保设备的稳定性和高效性。
通过这些应用领域和模块的具体例子，可以看出4226BGM-VB SOP8 MOSFET因其高功率、高效率的特性在多个领域中得到了广泛应用。
