--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SK4067-TL-E-VB 产品简介
2SK4067-TL-E-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装。该器件具有高达 30V 的漏源电压(VDS)和 70A 的连续漏极电流(ID)。其阈值电压(Vth)为 1.7V,导通电阻(RDS(ON))分别为 9mΩ @ VGS = 4.5V 和 7mΩ @ VGS = 10V。采用 Trench 技术,具备低导通电阻和高开关速度的优势,适用于高性能功率管理和转换领域。
### 二、2SK4067-TL-E-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流(ID)**: 70A
- **技术**: Trench

### 三、适用领域和模块举例
**应用领域:**
1. **电源开关**:
2SK4067-TL-E-VB 可用于各种电源开关应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC 变换器和线性稳压器。其高电流承载能力和低导通电阻特性使其能够在高功率密度和高效率要求的应用中提供可靠的性能。
2. **电机驱动**:
在电动汽车、工业自动化和家用电器中,该 MOSFET 可用于电机驱动器,以实现高效的电机控制。其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高系统的整体效率和性能。
3. **电池管理系统**:
在电动汽车、储能系统和便携式设备中,该 MOSFET 可用于电池管理系统(BMS),以实现高效的电池充放电控制和保护。其高可靠性和耐用性确保了电池系统的长寿命和稳定运行。
4. **功率开关**:
适用于各种功率开关应用,如电源适配器、电源开关和直流电源。其高电流承载能力和高开关速度有助于提高开关的效率和可靠性。
5. **LED 驱动**:
适用于需要高功率 LED 驱动的应用,如户外照明和工业照明。其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高 LED 灯的亮度和效率。
通过以上应用领域和模块实例,2SK4067-TL-E-VB 展现了其在各种高功率、高效率应用中的广泛适用性,是电力电子系统中的重要组成部分。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12